微电子器件物理第九章测试题
问题:
1.例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。(20分)
2.离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是什么?(10分)
3.离子注入后为什么要进行退火?(10分)
4.光刻和刻蚀的目的是什么?(20分)
5.为什么要采用LDD工艺?它是如何减小沟道漏电流的?(10分)
6.为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺?更小的栅长会引发什么问题?(10分)
7、描述金属复合层中用到的材料?(10分)
8、STI隔离技术中,为什么采用干法离子刻蚀形成槽?(10分)
答案:
1.答:芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄膜生长区和抛光区6个生产区域:
① 扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域,主要设备是高温炉和湿法清洗设备;
②光刻区是芯片制造的心脏区域,使用黄色荧光管照明,目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上;
③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形;
④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体;高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面,形成目标硅片;
⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。
⑥抛光,即CMP(化学机械平坦化)工艺的目的是使硅片表面平坦化
2.答:氧化层保护表面免污染,免注入损伤,控制注入温度
3.推进,激活杂质,修复损伤。
4.光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上,而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面
5.沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性,将引起不需要的漏电流,所以需要采用LDD工艺。轻掺杂漏注入使砷和BF2这些较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态。大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结,从而减少源漏间的沟道漏电流效应
6.因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的`刻印和刻蚀,而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。随着栅的宽度不断减少,栅结构(源漏间的硅区域)下的沟道长度也不断减少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性,并引起了不希望的沟道漏电流。
7.
(1)淀积Ti,使钨塞和下一层金属良好键合,层间介质良好键合;
(2)Al,Au合金,加入铜抗电迁移
(3)TiN作为下一次光刻的抗反射层
8.采用干法刻蚀,是为了保证深宽比
【微电子器件物理第九章测试题】相关文章:
《微电子器件》教学中的模拟与设计论文01-11
初中物理测试题03-15
初中物理第九章《电功》说课稿02-14
物理初中测试题及答案04-03
物理试卷测试题参考06-12
初三物理测试题06-11
初二物理测试题06-11
初中物理测试题及答案04-03