数字电子技术基础试题及答案

时间：2024-06-16 11:10:07 秀雯试题我要投稿

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数字电子技术基础试题及答案

　　从小学、初中、高中到大学乃至工作，我们都不可避免地会接触到试题，试题是参考者回顾所学知识和技能的重要参考资料。那么一般好的试题都具备什么特点呢？下面是小编整理的数字电子技术基础试题及答案，希望能够帮助到大家。

数字电子技术基础试题及答案

　　数字电子技术基础试题及答案 1

　　一、单项选择题(每小题1分，共10分)

　　1、以下描述一个逻辑函数的方法中，( )只能唯一表示。

　　A.表达式 B.逻辑图 C.真值表 D.波形图

　　2、在不影响逻辑功能的情况下，CMOS与非门的多余输入端可( )。

　　A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过电阻接地

　　3、一个八位二进制减法计数器，初始状态为00000000，问经过268个输入脉冲后，此计数器的状态为( )。

　　A.11001111 B.11110100 C.11110010 D.11110011

　　4、若要将一异或非门当作反相器(非门)使用，则输入端A、B端的连接方式是( )。

　　A.A或B中有一个接“1” B.A或B中有一个接“0”

　　C.A和B并联使用 D.不能实现

　　5、在时序电路的状态转换表中，若状态数N=3，则状态变量数最少为( )。

　　A.16 B.4 C.8 D.2

　　6、下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的门电路是( )。

　　A.或非门 B.与非门 C.异或门 D.OC门

　　7、下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是( )。

　　A.并行A/D转换器 B.计数型A/D转换器

　　C.逐次渐进型A/D转换器 D.双积分A/D转换器

　　8、存储容量为8K×8位的ROM存储器，其地址线为( )条。

　　A.8 B.12 C.13 D.14

　　9、4个触发器构成的8421BCD码计数器，共有( )个无效状态。

　　A.6 B.8 C.10 D.12

　　10、以下哪一条不是消除竞争冒险的措施( )。

　　A.接入滤波电路 B.利用触发器

　　C.加入选通脉冲 D.修改逻辑设计

　　二、填空题(每空1分，共20分)

　　1、时序逻辑电路一般由（）和( )两分组成。

　　2、多谐振荡器是一种波形产生电路，它没有稳态，只有两个

　　3、数字电路中的三极管一般工作于________区和________区。

　　4、四个逻辑变量的最小项最多有________个，任意两个最小项之积为________。

　　5、555定时器是一种用途很广泛的电路，除了能组成________触发器、________触发

　　器和________三个基本单元电路以外，还可以接成各种实用电路。

　　6、用2048×12的ROM芯片，最多能实现________个输入________个输出的组合逻辑

　　函数。

　　7、对于JK触发器，若J=K，则可完成________触发器的逻辑功能;若K=J=1，则完成

　　________触发器的.逻辑功能。

　　8、时序逻辑电路的输出不仅和_________有关，而且还与________有关。

　　9、三态门的输出状态有________、低电平、________三种状态。

　　10、采用ISP技术的PLD是先装配，后________。

　　11、转换速度|和______________是衡量A/D转换器和D/A转换器性能优劣的主要指标。

　　三、分析设计题(共30分)

　　1、试列写下列 ROM结构中Y2、Y1、Y0的函数表达式，并采用八选一数据选择器 74LS152对Y2、Y1、Y0重新实现。要求写出实现表达式，并画出逻辑电路图。其中，ROM地址译码器中，输入地址选中的列线为高电平。(10分)

　　2、试用 JK触发器和门电路设计一个十三进制的计数器，要求体现逻辑抽象、状态化简、状态方程、特性方程、驱动方程和输出方程等中间过程，画出逻辑电路图，并检查所设计的电路能否自启动。(20分)

　　参考答案

　　一、单项选择题。

　　1-5 CABBD

　　6-10 DACAB

　　二、填空题。

　　1、存储电路，组合电路

　　2、暂稳态

　　3、截止，饱和

　　4、16，0

　　5、施密特，单稳态，多谐振荡器

　　6、11，12

　　7、T，T′

　　8、该时刻输入变量的取值，电路原来的状态

　　9、高电平，高阻态

　　10、编程

　　11、转换精度

　　三、分析设计题

　　1、略

　　2、略

　　数字电子技术基础试题及答案 2

　　一、判断题

　　1、电压，也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。(√)

　　2、在导体上施加电压就会有电流流过。(√)

　　3、导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。(√)

　　4、电动势是表示非静电力把单位正电荷从负极经电源内部移到正极所做的功。(√)

　　5、电器设备在单位时间内消耗的电能称为电功率。(√)

　　6、在同一电路中，导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻阻值成反比,这就是欧姆定律。(√)

　　7、电磁场可由变速运动的带电粒子引起，也可由强弱变化的电流引起。(√)

　　8、电磁感应是因磁通量变化产生感应电动势的现象。(√)

　　9、电路的基本组成部分是电源和负载。(×)

　　10、电路中能提供电能的称为电源元件。(√)

　　11、通过一根导线将电阻连接在一起的方法称为串联连接。(√)

　　12、将2个以上电阻用平行连接的方法称为并联连接。(√)

　　13、电气回路中流过的电流超过一定数值时，保护装置起作用，保护回路安全。(√)

　　14、通断装置就是在电气回路中设置的接通和断开电源的装置。(√)

　　15、半导体是构成电子控制零部件的基础单元。(√)

　　16、半导体如果受外部刺激，其性质不会发生变化。(×)

　　17、半导体分为P型、N型和H型。(×)

　　18、二极管是P型半导体和N型半导体接合而成的。(√)

　　19、二极管具有单向导通性能。(√)

　　20、一般整流用二极管。(√)

　　21、齐纳二极管是一种特殊的二极管。(√)

　　22、晶体管是在PN接合半导体上，再接合一块P型或N型半导体。(√)

　　23、晶体管的工作原理同二极管相同。(×)

　　24、晶体管的作用就是开关作用。(×)

　　25、增幅作用是晶体管的运用之一。(√)

　　二、单选题

　　1、电压的符号为(C)。

　　(A)R (B)I (C)U (D)P

　　2、电压的单位是(A)。

　　(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆

　　3、电流的符号为(B)。

　　(A)R (B)I (C)U (D)P

　　4、电流的单位是(C)。

　　(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆

　　5、电阻的符号为(A)。

　　(A)R (B)I (C)U (D)P

　　6、电阻的单位是(D)。

　　(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆

　　7、电动势的符号为(A)。

　　(A)E (B)I (C)U (D)P

　　8、电动势的单位是(A)。

　　(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆

　　9、电功率的符号为(D)。

　　(A)R (B)I (C)U (D)P

　　10、电功率的单位是(B)。

　　(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)欧姆

　　11、关于欧姆定律，选出合适的描述(B)。

　　(A)电流与电阻成正比 (B)电流与电压成正比

　　(C)电流与电压成反比 (D)电流与电阻、电压无关

　　12、向1欧姆的电阻施加1伏特的电压时产生的电流大小就是(D)安培。

　　(A)0 (B)0.5 (C)1.5 (D)1

　　13、引起电磁场的原因是(A)。

　　(A)由变速运动的带电粒子引起 (B)由不变的电压引起

　　(C)由不变的电流引起 (D)由较大的电阻引起的

　　14、引起电磁场的原因是(C)。

　　(A)由不变的电流引起的 (B)由不变的电压引起的

　　(C)由强弱变化的`电流引起的 (D)由较大的电阻引起的

　　15、感应电流产生的条件是(B)。

　　(A)无切割磁感线的运动(B)电路是闭合且通的 (C)电路时打开的 (D)磁通量不变化

　　16、感应电流产生的条件是(C)。

　　(A)无切割磁感线的运动 (B)电路时打开的

　　(C)穿过闭合电路的磁通量发生变化 (D)磁通量不变化

　　17、电路的基本组成部分是电源、负载和(A)。

　　(A)连接导线 (B)电动势 (C)负极 (D)正极

　　18、电路的基本组成部分是连接导线、负载和(A)。

　　(A)正极 (B)电动势 (C)负极 (D)电源

　　19、电路中能提供电能的称为(D)。

　　(A)耗能元件 (B)储能元件 (C)无源元件 (D)电源元件

　　20、电路中不能提供电能的称为(D)。

　　(A)耗能元件 (B)储能元件 (C)电源元件 (D)无源元件

　　21、串联连接回路中，流过各电阻的电流(C)。

　　(A)同各电阻的阻值成正比 (B)同各电阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐渐减小

　　22、串联连接回路中，加在各电阻的电压(A)。

　　(A)同各电阻的阻值成正比 (B)同各电阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐渐增大

　　23、并联连接回路中，加在各电阻上的电压(C)。

　　(A)同各电阻的阻值成正比 (B)同各电阻的阻值成反比 (C)相同(D)以上选项都不是

　　24、并联连接回路中，总的电流等于各电阻的(A)。

　　(A)电流之和 (B)电流之积 (C)电流平均值 (D)电流均方根值

　　25、常见的保护装置是指(C)。

　　(A)继电器 (B)开关 (C)熔断器 (D)电磁阀

　　26、熔断器的容量大约是负荷电流(B)倍。

　　(A)1 (B)1.5 (C)5 (D)10

　　27、常见的通断装置是指开关和(D)。

　　(A)电磁阀 (B)传感器 (C)熔断器 (D)继电器

　　28、继电器是利用作用在线圈上的(C)开闭其触点，以便接通和断开电源。

　　(A)磁力线 (B)磁场 (C)电磁力 (D)永久磁场

　　29、半导体的导电性能(C)。

　　(A)比导体好 (B)比绝缘体差 (C)介于导体和绝缘体之间 (D)接近金属导体

　　30、常见的半导体有硅和(D)。

　　(A)碳 (B)铜 (C)铅 (D)锗

　　31、如果温度升高，半导体的自由电子数将(A)。

　　(A)增加 (B)不变 (C)减少 (D)一会增加，一会减少

　　32、如果温度升高，半导体的电阻值将(A)。

　　(A)增加 (B)不变 (C)减少 (D)一会增加，一会减少

　　33、P型半导体是在有4个价电子的硅或锗中加入了有(B)个价电子的铟元素。

　　(A)1 (B)3 (C)5 (D)7

　　34、N型半导体是在有4个价电子的硅或锗中加入了有(C)个价电子的砷元素。

　　(A)1 (B)3 (C)5 (D)7

　　35、P型半导体带有很多(A)。

　　(A)带正电量的空穴 (B)带负电量的空穴

　　(C)带正电量的自由电子 (D)带负电量的自由电子

　　36、N型半导体带有很多(D)。

　　(A)带正电量的空穴 (B)带负电量的空穴

　　(C)带正电量的自由电子 (D)带负电量的自由电子

　　37、在二极管的P型侧接电源的正极，在N型侧接电源的负极，其接合部的电场屏蔽将(D)。

　　(A)增强 (B)不变 (C)减弱 (D)消失

　　38、在二极管的P型侧接电源的正极，在N型侧接电源的负极，自由电子将越过接合面向(A)移动。

　　(A)正极 (B)负极 (C)一半向正极，一半向负极 (D)百分之二十向负极

　　39、半波整流使用(A)个二极管。

　　(A)1 (B)2 (C)3 (D)4

　　40、全波整流使用(D)个二极管。

　　(A)1 (B)2 (C)3 (D)4

　　41、在齐纳二极管上施加逆方向电压，当电压超过某一数值时，(D)。

　　(A)会急剧产生电流 (B)会急剧产生电阻

　　(C)会急剧产生电流导致二极管击穿损坏 (D)会急剧产生电流而不会出现击穿损坏

　　42、齐纳二极管的齐纳电压与二极管的击穿电压相比，齐纳电压(C)。

　　(A)高 (B)低 (C)相同 (D)不确定

　　43、晶体管有(B)型。

　　(A)NNP (B)NPN (C)PNN (D)PPN

　　44、晶体管有(C)型。

　　(A)NNP (B)NPP (C)PNP (D)PPN

　　45、对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子(A)。

　　(A)朝基极侧移动 (B)朝集电极侧移动 (C)不动 (D)在发射极处无序运动

　　46、对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴(A)。

　　(A)朝集电极侧移动 (B)朝发射极侧移动 (C)不动 (D)在基极处无序运动

　　47、在汽车中与电子控制相关的回路的开闭一般由(D)来进行。

　　(A)开关 (B)继电器 (C)二极管 (D)晶体管

　　48、晶体管不存在类似继电器(B)磨损、烧损等情况。

　　(A)线圈 (B)触点 (C)电磁力 (D)磁力线

　　49、在开关回路中，主要运用了晶体管的(D)优点。

　　(A)不存在类似继电器触点磨损、烧损等情况 (B)可以实现高速开闭

　　(C)不会发生间歇电震 (D)可实现小电流控制大电流。

　　50、晶体管的运用有开关回路、定时回路、电压限制和(D)。

　　(A)发动机转速传感 (B)空气流量传感 (C)温度传感 (D)电子点火

　　三、多选题

　　1、下面有关电压讲述正确的是(ABCE)。

　　(A)电压是静电场或电路中两点间电动势之差 (B)电压的单位是伏特

　　(C)电压可分为高电压与低电压 (D)电压的大小取决于电动势 (E)电压的符号是U

　　2、下面有关电压和电流讲述正确的是(ABCD)。

　　(A)在导体上施加电压就会有电流流过 (B)电流的单位是安培

　　(C)电压可分为交流电和直流电 (D)电流的符号是I (E)电流是自行产生的

　　3、下面有关电阻讲述正确的是(ABDE)。

　　(A)导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。 (B)电阻的单位是欧姆

　　(C)电阻可分为交流电阻和直流电阻 (D)电阻的符号是R

　　(E)导体的长度、材料相同时，横截面积越大，电阻越小

　　4、下面有关电动势讲述正确的是(ADE)。

　　(A)电动势是表示非静电力把单位正电荷从负极经电源内部移到正极所做的功

　　(B)电动势是表示静电力把单位正电荷从电场中的某一点移到另一点所做的功

　　(C)电动势单位是瓦特 (D)电动势的符号是E (E)电动势的单位是伏特

　　5、下面有关电功率讲述正确的是(ABC)。

　　(A)电功率是电气设备在单位时间内消耗的电能 (B)电功率的单位是瓦特

　　(C)电功率的符号为P (D)电功率的大小与时间无关 (E)电功率的大小和电压无关

　　6、关于欧姆定律，选出合适的描述(BE)。

　　(A)电流与电阻成正比 (B)电流与电压成正比 (C)电流与电压成反比

　　(D)电流与电阻、电压无关 (E)电流与电阻成反比

　　7、引起电磁场的原因是(CD)。

　　(A)由不变的电流引起 (B)由不变的电压引起 (C)由强弱变化的电流引起

　　(D)由变速运动的带电粒子引起 (E)由不变的电阻引起

　　8、感应电流产生的条件有(ABC)。

　　(A)电路是闭合且通的 (B)穿过闭合电路的磁通量发生变化

　　(C)电路的一部分在磁场中做切割磁感线运动

　　(D)磁通量不需变化 (E)电路可以是打开的

　　9、电路的基本组成部分是(ABC)。

　　(A)电源 (B)负载 (C)连接导线 (D)正极 (E)负极

　　10、电路中无源元件的分类为(B)。

　　(A)有源元件 (B)储能元件 (C)耗能元件 (D)理想元件 (E)非理想元件

　　11、串联连接回路描述正确的是(AB)。

　　(A)流过各电阻的电流相同 (B)加在各电阻的电压同各电阻的阻值成正比

　　(C)流过各电阻的电流不同 (D)加在各电阻的电压同电阻成反比

　　(E)电阻和电流，电压无关

　　12、并联连接回路描述正确的是(AB)。

　　(A)加在各电阻上的电压相同 (B)总的电流等于各电阻的电流之和

　　(C)流过各电阻的电流相同 (D)加在各电阻的电压同电阻成反比

　　(E)电阻和电流，电压无关

　　13、漏电保护装置按检测信号分，可分为(AB)。

　　(A)电压动作型 (B)电流动作型 (C)电阻动作型 (D)电动势动作型(E)电感动作型

　　14、关于继电器的说法正确的是(ABC)。

　　(A)能够缩短流过大电流回路的电线，并能将开关设置远离需要接通和断开的回路的地方。(B)能够实现各装置操作的自动化或远距离操作。

　　(C)能够使用触点容量小的开关。 (D)能够替代熔断器。 (E)能代替保险丝

　　15、半导体材料有很多种，按化学成分可分(AD)。

　　(A)元素半导体 (B)非元素半导体 (C)单一半导体

　　(D)化合物半导体 (E)混合物半导体

　　16、半导体的特性是(ABCDE)。

　　(A)电阻率特性 (B)导电特性 (C)光电特性(D)负的电阻率温度特性 (E)整流特性

　　17、半导体的分类，按照其制造技术可以分为(ABCDE)等。

　　(A)集成电路器件 (B)分立器件 (C)光电半导体 (D)逻辑IC (E)模拟IC

　　18、二极管的内部结构，可分为(AB)。

　　(A)点接触型 (B)面接触型 (C)线接触型 (D)无接触型 (E)全接触型

　　19、半导体的特性是(ABCDE)。

　　(A)电阻率特性 (B)导电特性 (C)光电特性(D)负的电阻率温度特性 (E)整流特性

　　20、关于二极管的应用，正确的是(ABC)。

　　(A)异常脉冲的吸收 (B)逆电动势的吸收 (C)防止逆流 (D)稳压 (E)放大功能

　　21、齐纳二极管的作用是(ABD)。

　　(A)稳压 (B)调压 (C)减压 (D)吸收逆电动势 (E)放大功能

　　22、属于晶体管的电极是(BCD)。

　　(A)触发极 (B)发射极 (C)基极 (D)集电极 (E)放大极

　　23、NPN型硅管的输出特性曲线是一组以Ib为参变量的曲线族。曲线族可分为(BCD)。

　　(A)减少区 (B)截止区 (C)放大区 (D)饱和区 (E)安全区

　　24、晶体管的优点是(ABC)。

　　(A)不存在类似继电器触点磨损、烧损等情况 (B)可以实现高速开闭

　　(C)不会发生间歇电震 (D)可实现大电流控制小电流 (E)可实现电流互换

　　25、晶体管的运用有(ABCE)。

　　(A)开关回路 (B)电压限制 (C)电子点火 (D)启动回路 (E)定时回路

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